IGBT雙單元晶體管中頻電源技術(shù)是我公司潛心研究的控制技術(shù)，處于國(guó)際**水準(zhǔn)。這一技術(shù)是在英飛凌第五代IGBT模塊基礎(chǔ)上研發(fā)的，具有跨時(shí)代的意義。

IGBT雙單元晶體管中頻電源由于取消了可控硅逆變電路中的限流電感，被公認(rèn)為是當(dāng)前比較節(jié)能的中頻爐技術(shù)，比可控硅串聯(lián)電路還節(jié)省5%的耗電量。

設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定、保護(hù)可靠。華瑞的IGBT模塊中頻電爐，采用一個(gè)驅(qū)動(dòng)板驅(qū)動(dòng)一個(gè)模塊的方式，可靠性大大超過了以往的單管IGBT中頻電爐，即使發(fā)生爐體短路、打火、穿鋼、水電纜燒斷，IGBT都不會(huì)損壞，解決了以往同類單管IGBT模塊一炸炸一串的缺陷，很大程度降低了維修費(fèi)用。

實(shí)用性方面，設(shè)備聲音小，皮實(shí)耐用，過載能力強(qiáng)，對(duì)使用環(huán)境沒有特殊要求、使用維修簡(jiǎn)便、費(fèi)用低。