雙管IGBT與可控硅串聯(lián)都是由整流、逆變、補(bǔ)償三部分組成，不同處為以下幾點(diǎn)：

1：耗能區(qū)別；

（1）逆變部分：IGBT中頻電源柜的逆變部分是由模塊進(jìn)行逆變的，模塊和可控硅的區(qū)別在于關(guān)斷時間，模塊的關(guān)斷時間比可控硅的快60倍，而且即開即停，不需要緩沖，因此每噸鐵水比可控硅串聯(lián)的可節(jié)省30度電。

（2）換流電感：由于可控硅關(guān)斷時間要比模塊的慢，在關(guān)停的時候需要換流電感來進(jìn)行緩沖，所以可控硅電爐比IGBT電爐多了換流電感部分，這樣可控硅串聯(lián)電爐會比IGBT電爐每噸鐵水多耗20度電。

根據(jù)以上兩處不同，同種條件下IGBT電爐要比可控硅串聯(lián)電爐每噸節(jié)省50度電。

2：熔煉速度區(qū)別；

IGBT模塊的關(guān)斷時間快且沒有換流電感，因此在同等功率下IGBT電爐的熔煉速度要比可控硅串聯(lián)電爐快5-10分鐘。

3：維修方面區(qū)別；

IGBT控制柜結(jié)構(gòu)簡單，維修方便，維修費(fèi)用低，經(jīng)過簡單培訓(xùn)企業(yè)內(nèi)部電工就能完成獨(dú)立維修。

4、安全區(qū)別；

IGBT 中頻電源柜獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，徹底解決銅感應(yīng)圈匝間打火的問題，獨(dú)特的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)還能使爐內(nèi)鐵水的懸浮電壓低，對操作工人不會造成傷害，從而保障操作工人的安全。

5：噪音區(qū)別；

因?yàn)?/span>IGBT是電壓型控制器件，可控硅是電流型控制器件，所以IGBT電爐要比可控硅電爐的噪音小一半。

6：市場調(diào)研實(shí)時對比；

近幾年由于中國國內(nèi)電費(fèi)的上漲，雖然IGBT電爐比可控硅串聯(lián)電爐價(jià)格高，但中國企業(yè)在上電爐的時候80%都會選擇IGBT新型節(jié)能電爐。